Esquemas de sensores de campo eléctrico basados en retardadores ópticos en tecnología de óptica integrada en niobato de litio (LiNbO3)

Resumen

El propósito de este artículo es describir la utilización de retardadores electroópticos en niobato delitio (LiNbO3), como sensores de campo eléctrico. Hay dos tipos básicos de retardadores ópticos que pueden realizarse en cristales de LiNbO3: guías de onda ópticas birrefringentes (GOB) e interferómetros Mach-Zehnder asimétricos (IMZA). Estos dispositivos se utilizan para configurar esquemas sensores de campo eléctrico, aprovechando su capacidad de generar retardos ópticos prácticos. Un retardo óptico se vuelve práctico cuando la diferencia de camino óptico equivalente, es superior a la longitud de coherencia de la fuente luminosa. Los valores prácticos varían en un intervalo entre algunos cientos de micrómetros y algunos milímetros. Estos valores pueden alcanzarse cuando se utilizan diodos emisores de luz (DEL) o diodos superluminiscentes (DSL) como fuentes de luz, cuya longitud de coherencia es inferior a 100 micrómetros. En un esquema sensor de campo eléctrico basado en retardador óptico, el retardo es modulado por el campo eléctrico y transmitido hacia un receptor. La demodulación del retardo luminoso se realiza cuando la luz recibida pasa por un segundo retardador que introduce un retardo idéntico al del sensor y es la única condición que asegura la detección del campo eléctrico sensado. Esta técnica de modulación demodulación de retardos ópticos se conoce como modulación de coherencia luminosa. En este artículo, se describen el principio de funcionamiento y la realización de esquemas sensores de campo eléctrico utilizando sensores ópticos birrefringentes, así como interferómetros Mach-Zehnderasimétricos.

Referencias